Electron beam-induced deposition
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La croissance assistée par faisceau d'électrons (en anglais Electron beam-induced deposition (EBID)) est un procédé de décomposition, induite par un faisceau d'électrons, de molécules gazeuses adsorbées sur un substrat. La résultante en est un dépôt solide constitué des fragments non volatils de la molécule de précurseur. Le faisceau d'électrons, s'il provient d'un microscope électronique à balayage ou à transmission (scanning electron microscope) peut permettre la réalisation de structures à haute résolution spatiale (diamètre inférieur au nanomètre), ou des structures tridimensionnelles.
Procédé
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Mécanisme de croissance
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Résolution spatiale
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Matériaux et précurseurs
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Avantages
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Inconvénients
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Croissance induite par faisceau d'ions
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Formes
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Voir aussi
- Electron microscopy
- Focused ion beam
- Metal carbonyl
- Métallocène
- Organometallic chemistry
- Scanning electron microscope
- Scanning transmission electron microscopy
- Transmission electron microscopy
Références
Livres et documents en ligne
- "Nanofabrication: Fundamentals and Applications" Ed.: Ampere A. Tseng, World Scientific Publishing Company (March 4, 2008), (ISBN 981-270-076-5 et 978-981-270-076-6)
- K. Molhave: "Tools for in-situ manipulations and characterization of nanostructures", PhD thesis, Technical University of Denmark, 2004
Liens externes (en anglais)
- NIMS EBID page
- Information source for people active in the field of focused electron beam-induced processes
- Wikibook on EBID
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