Carl Frosch

Carl Frosch
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Biographie
Naissance
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Décès
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Nationalité
américaineVoir et modifier les données sur Wikidata
Activité
ChimisteVoir et modifier les données sur Wikidata
Autres informations
A travaillé pour
Laboratoires BellVoir et modifier les données sur Wikidata

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Carl John Frosch (né le 6 septembre 1908; † 18 mai 1984)[1],[2] est un chimiste américain des Laboratoires Bell. Avec le technicien Lincoln J. Derick (dit Link Derick), il inventa en 1955 le masquage au dioxyde de silicium, qui marqua une étape décisive dans l'émergence du procédé planar et la fabrication en série de circuits intégrés[3] (cf. Oxydation thermique).

Biographie

Frosch grandit à Ilion (New York) puis étudia à Union College[4].

Employé comme chimiste des procédés au sein de l'équipe de John Lewis Moll (en), chargée du dopage des semi-conducteurs, il découvrit, après une erreur de manipulation, toute l'importance des effets de masquage par oxydes dans le silicium ; jusque-là, on préférait le germanium au silicium, car ce dernier devait être manipulé sous vide ou dans une atmosphère d'azote afin d'éviter les effets d'oxydation, qui « grillaient » la matrice[5]. Frosch et Derick avaient d'abord essayé d'éliminer cette oxydation superficielle par des attaques acides[6] avant de réaliser qu'elle préservait la sensibilité du silicium, et qu'elle est perméable à certains sels dopants (comme le gallium), mais étanche à d'autres (le bore, le phosphore) : ainsi, il devenait possible de procéder au dopage sélectif des substrats au silicium. Ils brevetèrent leur invention au mois de juin 1955.

Frosch et Derick montrèrent aussi comment doper le silicium avec des porteurs de charge minoritaires en perçant localement la couche d'oxydes[7] (1957). Jean Hoerni, ingénieur chez Fairchild Semiconductor, obtint une copie de l'article de Frosch par des chercheurs de Shockley Semiconductor Laboratory ; il eut tôt fait de perfectionner ces techniques, en exploitant la protection apportée par la couche d'oxydes à la transition PN, chaque fois que la couche de dopant s'étend sous cette couche protectrice.

Frosch s'établit à Summit (New Jersey).

Références

  1. ↑ (en) « Carl J Frosch », sur Find a Grave
  2. ↑ Nach Adressbuch, Summit, New Jersey, wohnte er zuletzt in Summit, New Jersey mit seiner Ehefrau Ruth
  3. ↑ 1955 – Development of Oxide Masking, Computer History Museum
  4. ↑ « Seven Students Chosen for Outstanding Work in Scientific Courses », Schenectady Gazette,‎ (lire en ligne [PDF]) « Union College Magazine Summer 2003 », sur union.edu (version du sur Internet Archive) (anglais).
  5. ↑ « Témoignage de Mason Clark Silicon burns! » (version du sur Internet Archive)
  6. ↑ (en) Christophe Lécuyer et David Brock, Makers of the Microchip., MIT Press, p. 63.
  7. ↑ C. J. Frosch et L. Derick, « Surface Protection and Selective Masking during Diffusion in Silicon. », Journal of the Electrochemical Society., vol. 104, no 9,‎ , p. 547–552 (DOI 10.1149/1.2428650).
  • (de) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en allemand intitulé « Carl Frosch » (voir la liste des auteurs).

Voir aussi

Articles connexes

  • Holonyak, The origins of diffused silicon technology at Bell Labs 1954-55, pdf, avec une photo de Frosch et Derick
  • Mark Burgess, Diffusion Technologies at Bell Laboratories
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